デザインシステム

	SA-27E	Cu-11	Cu-08	Cu- 65HP	Cu- 45HP
Process generation (nm)　:	180	130	90	65	45
CMOS technology:	7SF	8SF	9SF	10SF	12S0
VDD(v):	1.5	1.2/1.5	1.0/1.2	1.0	1.0/0.9
Gate delay (ps)	23	15.2-19.1	6.9-15.6	6.05-9.95	3.8-9.9
Power dissipation (µW/MHz/gate)	0.02	0.009	0.006	0.0045	0.0032/ 0.0026
Transistor leakage Isoff (nA/µm)	0.08	0.0-4.5	0.3-60	0.5-50	0.2-50
Raw circuit density (Kgates/mm2)	88	175	310	615	1480
Total levels of metal	5-6	6	6-8	8-9	9-10
Thin level dielectric	SiO2	FSG/USG	Low-k	Low-k	Ultralow-k
Note: A gate is defined as a two-way NAND equivalent.

ボルテージ・アイランド
ボルテージ・アイランドは、複雑なチップが消費する電力を削減するための手段を提供し、電力重視のチップ設計における生産性を大きく改善します。この新しい技術により、特定のチップが消費する電力を、最大で1/3に削減することができます。

SA-27E & Cu-11	Cu-11	Cu-08
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Cu-65HP	Cu-45HP
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