第22回日本IBM科学賞 物理部門

ハロルド・ファン (はろるど ふぁん、Harold Y. Hwang)
1970年8月4日生まれ
東京大学 大学院新領域創成科学研究科 准教授

遷移金属酸化物へテロ構造における界面電子物性の開拓

遷移金属酸化物には磁性、誘電性、電気伝導性などがしばしば共存し、その複雑な絡み合いにより高温超伝導や巨大磁気抵抗効果などの多彩な物性が出現することから、精力的に多くの研究が進められている。その中でも、デバイス応用の観点でも期待されるヘテロ構造の作成と新しい界面機能の研究が近年特に注目されている。

ハロルド・ファン氏は、原子スケールで制御された界面を有する遷移金属酸化物へテロ構造の作成に成功し、界面二次元電子系の創成、強相関界面の概念提唱、静電ポテンシャルの界面発散による電子状態の再構成(ポーラーカタストロフィー)の指摘など、遷移金属酸化物の豊かな物性がヘテロ構造の界面において新しい物理と機能を生み出すことを示した。

ファン氏によるこれらの業績は、物性物理学とデバイス工学の融合領域における「遷移金属酸化物へテロ構造の界面科学」という新しい研究分野の発展に大きく貢献するものであり、日本IBM科学賞にふさわしいと認められる。

• 遷移金属酸化物へテロ構造における界面電子物性の開拓 (19分51秒)

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