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プレスリリース

STマイクロエレクトロニクスとIBM、半導体技術開発で協業



2007年7月25日

*2007年7月24日(現地時間)にスイス、米国(ニューヨーク州アーモンク)で発表されたプレスリリースの抄訳です。

STマイクロエレクトロニクスとIBM、半導体技術開発で協業

STマイクロエレクトロニクス (NYSE:STM、以下ST) と IBM (本社:米国ニューヨーク州アーモンク、会長:サミュエル・J・パルミサーノ、NYSE:IBM) は、本日、半導体の開発、製造に使用される次世代プロセス技術の開発に関する協業で合意したこと発表しました。

この合意には、32nmならびに22nmのCMOSプロセスの技術開発および設計技術開発と、300mmのウエハー製造への応用に向けた先端研究が含まれています。 さらに、中核となるバルクCMOS技術と付加価値の高い派生技術であるSoC(システム・オン・チップ)技術の開発の双方を含んでおり、両社を技術開発の最先端に位置づけるものです。 また、IBMとSTの合意には、これらの技術を使用したSoC製品の設計スピードを向上させるIPとプラットフォームの開発協力も含まれています。

合意の一部には、両者が互いの開発設備内に開発チームを置くことが含まれています。バルクCMOS技術の開発に関しては、イースト・フィッシュキル(East Fishkill、米国ニューヨーク州)とアルバニー(Albany、米国ニューヨーク州)にあるIBMの半導体研究開発センターにSTの研究開発チームを設置します。同時に、STの300mmウエハー研究開発センターならびに製造設備があるクロル(Crolles、フランス)には、IBMが研究開発チームを設置します。ここでは、両社が組込みメモリー、アナログやRFを含む、さまざまな付加価値の高い派生技術を共同で開発します。これらの技術は、携帯電話やGPSシステムなどのワイヤレス・アプリケーションや、民生アプリケーションからサーバ・アプリケーションまで、幅広く使用されることとなります。

STは、より小型かつ高速、そしてコスト効率に優れた半導体に必要とされる複雑な設計技術や高度なプロセス技術の開発に協力するため、製造、開発、技術に関連する企業で構成されるパートナーシップに参加します。IBM CMOSテクノロジー・アライアンスとして知られる、このパートナー・ネットワークのメンバー6社は、新技術への早期アクセス、技術的定義を牽引できる能力、研究開発に必要な資源の融合、製造ベースの共通化などの恩恵を享受します。

IBMとSTは、IBMのCMOSテクノロジー・アライアンスの参加メンバーが、さらなる市場競争力につながる高付加価値の派生SoC技術の開発に興味を持ち参画するようフランスのSTの300mmウエハー製造設備におけるネットワークの拡大を協力して推進します。

メンバー企業のリソースを共有するオープンなエコシステムに参加することで、参加企業は技術革新のスピードアップ、関連コストの削減を実現しながら、各自の研究開発力と知的財産を蓄積することができます。このアライアンスの拡大にともない、優れた半導体製品を迅速かつ低価格で設計・製造するために必要なリソースのさらなる投入が可能となり、協業関係がもたらす恩恵は飛躍的に増加します。

STの研究開発&製造部門担当のエグゼクティブ・バイス・プレジデントであるローラン・ボッソン(Laurent Bosson)は、次のようにコメントしました。「STは、これまで培ってきたシステム指向の技術に関する膨大なノウハウを利用して付加価値の高い派生技術の研究開発に焦点を合わせるという戦略的決定を行いました。IBMの先端半導体技術の開発におけるすばらしい実績を考慮した上で、我々は、IBMと共同開発をすることが、これらの戦略的な課題に取り組み結果を生み出すことと、競合力ある製品のTime-to-Marketを確実なものとするために適切な水準の技術やソリューションを両社にもたらすと確信しています。」

IBM Researchのシニア・バイス・プレジデントであるジョン・ケリー(John E. Kelly III)は、次のようにコメントしています。 「STマイクロエレクトロニクスの参加により、IBMテクノロジー・アライアンスは、半導体産業における先端技術開発に特有な技術的かつ経済的な課題へ取り組む力をさらに強化することになります。互いの専門的知識を融合し、協同して取り組むことによりプロセス技術開発を強化すると同時に、お客様に対しより迅速な市場投入とより高度な技術的先進性を提供することにつながるでしょう。」

今回の合意に基づいて共同開発されたプロセスは、STのクロル(フランス)にある300mmのウエハー製造設備で量産に向けて投入されると同時に、IBMを含むCommon Platform テクノロジーの製造メーカーの300mmウエハー製造設備においても投入されることとなります。

さらに長期的な見通しとして、公的研究機関であるCEA-LETI(フランス原子力庁の研究機関)とSTの間で長年に亘り成功裏に展開されてきた共同研究活動を基に、IBM、CEA-LETI、およびSTは、将来の技術ノードに向けた先端技術に関しても協業を計画しています。

この取引に関連する財務的詳細は公表されません。

以上

IBMは、IBM Corporationの商標です。
この資料に記載されている会社名、製品名は、各社の登録商標または商標です。

STマイクロエレクトロニクスに関して
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品やソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、幅広いIP(Intellectual Property)ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力とを組み合わせることにより、SoC(システム-オン-チップ)技術に関し世界的リーダーとしての地位を確立しています。またSTの半導体製品は、市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目を果たしています。STは、ニューヨーク証券取引所(NYSE:STM)、パリ証券取引所(Euronext Paris)とミラノ証券取引所に上場されています。2006年の売上は98.5億ドルで、純利益は7億8200万ドルでした。
さらに詳しい情報は、STのホームページをご覧ください。
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http://www.st.com/(US)

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