半導体

業界最高水準のパフォーマンスを誇るIBM System p™ は、最先端のテクノロジーを取り入れ、常に次世代を見据えた進化を続けています。例えば、サーバーのパフォーマンスを支えるプロセッサーの高速化にとって最大の難関は、電力消費による熱の発生ですが、IBMでは消費電力を抑えながら同時に高速化を実現する「銅配線」、「SOI（シリコン・オン・インシュレーター）」、「Low-k」、「ストレインド・シリコン」など最先端の半導体実装技術を開発。これらの先進テクノロジーを、逐次、実用化し、サーバー製品に採用しています。

銅配線

銅配線（Copper）※1 は、従来のアルミ配線に比べ電気抵抗を低く抑えられるため、より高速で動作し、消費電力と発熱を抑えることが可能です。高い集積度を持たせると同時に信頼性を高め、1GHzを超える高性能プロセッサーには重要なテクノロジーとなります。

SOI（シリコン・オン・インシュレーター）

SOI※1 は、二酸化シリコン薄膜を使用して数百万個のトランジスターを絶縁することで、トランジスター内に漏れるムダな電流を低下させる技術です。エネルギーを消費し、パフォーマンスを低下させるこの電流を抑制することでスイッチング・スピードを速め、チップの性能を向上させます。

Low-k（低誘電体層間絶縁膜）

Low-k※2 は、数百万にのぼるチップ上の銅配線回路に微細なシールドを施すことにより、チップのパフォーマンスを低下させ電力をムダに消費する回路間の混信を防止します。この技術によって、プロセッサーの消費電力を1/3まで減らすことが可能です。

ストレインド・シリコン^※2

この技術は化合物内部の原子が互いに整列しようとする特性を利用したもので、原子の間隔が開いている基板上にシリコンを堆積させると、シリコン原子は下部の原子と並ぶように、強く引き伸ばされた(strained)状態になります。すると、電気抵抗は減少、電子の移動が最大70%高速化され、チップ速度も最大35%高速化します。

MCM（Multi Chip Module）

MCMは、複数のプロセッサーを1つのプロセッサー・モジュール上に搭載する技術です。これにより、従来は複数のプロセッサーを結合させていたSMP（Symmetrical multiprocessor）構成が１つのモジュール上で実現できるため、プロセッサー間の通信を高速化することができます。

※1	銅配線テクノロジーは、150とB50を除き、すべてのpSeries & RS/6000に搭載したプロセッサーに採用されています。SOIテクノロジーは、pSeries 690/680/670/660/650/655/630/620に搭載したプロセッサーに採用されています。
※2	Low-kテクノロジーおよびストレインド・シリコンは、将来のPOWER4プロセッサーに実装される予定です。ただし、正式には、IBMの技術上、経営上の判断により決定されるものであることをご了承ください。

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