回路パターンの描画が終了すると、ウェーハーにホウ素やリンなどの不純物原子を「ドーピング」し、正と負の導電領域を設けます。その際、イオン注入装置で不純物原子をイオン化（一つ以上の電子を除去）し、高エネルギーイオンとして加速します。このイオンをシリコンウェーハーに打ち込み、保護酸化物のレイヤー中に開けられた穴を通過させるのです。不純物の深さと濃度が、チップの電気的特性の決め手となります。
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回路パターンの描画が終了すると、ウェーハーにホウ素やリンなどの不純物原子を「ドーピング」し、正と負の導電領域を設けます。その際、イオン注入装置で不純物原子をイオン化（一つ以上の電子を除去）し、高エネルギーイオンとして加速します。このイオンをシリコンウェーハーに打ち込み、保護酸化物のレイヤー中に開けられた穴を通過させるのです。不純物の深さと濃度が、チップの電気的特性の決め手となります。